Soutenance de thèse de M. Tapas DUTTA

La réduction des dimensions du transistor MOS, force motrice de l’industrie des semiconducteurs depuis 40 ans, devient de plus en plus difficile à effectuer. Une des solutions envisagées pour continuer à augmenter les performances des transistors MOS consiste à remplacer le silicium du canal par d’autres semiconducteurs, comme le Ge ou les III-V. Cependant, bien que présentant des propriétés de transport bien supérieures au Si, les composants à bases de matériaux III-V semblent présenter des effets de canaux courts et des fuites de courant plus sévères que dans le cas des technologies silicium. Il est donc nécessaire d’évaluer rigoureusement les performances intrinsèques de ces composants. Ce travail présente une contribution à l’ évaluation théorique des performances des composants MOSFETs à base de III-V et démontre que les constantes diélectriques plus fortes ainsi que les masses effectives plus faibles de ces matériaux vont induire des phénomènes parasites plus importants et plus domageables que dans le cas des composants à base de silicium.

Membres du jury :
M. Francis CALMON,Professeur, INSA de Lyon, Président
M. Jean Luc AUTRAN,Professeur, Université Aix Marseille, Rapporteur
M. Fabien PREGALDINY,Maître de Conférences HDR, Télécom Physique Strasbourg, Rapporteur
M. Quentin RAFHAY, Maître de Conférences, Grenoble INP, Co-encadrant
M. Georges PANANAKAKIS, Professeur, Grenoble INP, Directeur de Thèse