Soutenance de thèse de Mr HAUSER David

Vendredi  21 Janvier  2011  à 14h

Résumé de thèse :
L'utilisation de dispositifs thermoélectriques à base de films minces en SiGe est envisagée dans de nombreuses applications comme le refroidissement localisé de composants microélectroniques. Le SiGe possède en effet un net avantage en terme d'intégrabilité mais souffre cependant d'un déficit en terme de performances. Dans le cadre de cette thèse, nous nous sommes intéressés à la nanostructuration de ce matériau en super-réseau de boîtes quantiques (SRBQ), celle-ci devant permettre une forte augmentation de son facteur de mérite. La réalisation, par un outil CVD de type industriel, à 750 °C, de SRBQ monocristallins lourdement dopés, est présentée à partir d'analyses diverses (AFM, MEB, MET, SIMS). Des phénomènes de forts échanges Si-Ge pendant la croissance sont notamment mis en évidence et corrélés avec des mesures de conductivité thermique. L'élaboration de structures polycristallines originales est également présentée. Enfin, la question cruciale de la détermination du facteur de mérite est abordée. Une solution consistant à mesurer plusieurs paramètres électriques, thermiques et thermoélectriques sur un même échantillon est proposée et concrètement mise en œuvre par la réalisation simultanée de dispositifs de test adaptés.