Caractérisation de dispositifs optoélectroniques pour la génération et la détection d’impulsions électromagnétiques picosecondes

Résumé :
Ce séminaire présente la caractérisation de dispositifs (circuits électriques intégrant des photodétecteurs) basés sur des semi-conducteurs à recombinaison rapide de porteurs de charges (ex: Arséniure de Gallium - GaAs). Ces derniers sont conçus pour générer et détecter des impulsions électromagnétiques dans le domaine picoseconde/THz. Pour sonder ces signaux ultra-brefs, nous utilisons une technique pompe-sonde reposant sur des impulsions optiques femtosecondes. Le banc expérimental sera décrit en mettant l'accent sur des points clés comme la taille du faisceau et la ligne à retard. Nous discuterons ensuite de nouvelles architectures de dispositifs : notamment des structures en piliers (augmentation de l'efficacité) et l'intégration de nouveaux matériaux (faible coût de fabrication). Enfin, nous présenterons nos travaux récents sur la mise en forme de l’impulsion électrique via l’étirement contrôlé de l’impulsion optique (pompe) à l’aide d’un module à réseaux de diffraction, et ses effets sur l’onde générée.