Soutenance de DOBRI Adam

Résumé:
Les mémoires flash sont intégrées dans presque tous les aspects de la vie moderne car leurs uns et zéros représentent les données stockées sur les cartes à puce et dans les capteurs qui nous entourent. Dans les mémoires flash à grille flottante ces données sont représentées par la quantité de charge stockée sur une grille en poly-Si, isolée par un oxyde tunnel et un diélectrique entre grilles (IGD). Au fur et à mesure que les chercheurs et les ingénieurs de l'industrie microélectronique poussent continuellement les limites de mise à l'échelle, la capacité des dispositifs à contenir leurs informations risque de devenir compromise. Même la perte d'un électron par jour est trop élevée et entraînerait l'absence de conservation des données pendant dix ans. Étant trop faibles, les courants de fuite sont impossible à mesurer directement.
Cette thèse présente une nouvelle méthode, la séparation du stress aux oxydes (OSS), pour mesurer ces courants en suivant les changements de la tension de seuil de la cellule flash. La nouveauté de la technique est que les conditions de polarisation sont sélectionnées afin que le stress se produise entièrement dans l'IGD, permettant la
reconstruction d'une courbe IV de l'IGD à des tensions faibles.
Cette thèse décrit également les changements de processus nécessaires pour intégrer la première mémoire flash embarquée de 40 nm basée sur un IGD d'alumine, en
remplacement du SiO2/ Si3N4/SiO2 standard. L'intérêt pour les matériaux high-k vient de la motivation de créer un IGD qui est électriquement mince pour augmenter le couplage tout en étant physiquement épais pour bloquer le transport de charge.
Comme la flash intégrée au noeud de 40 nm se rapproche de la production, l'approche à prendre dans les noeuds futurs doit également être discutée. Cela fournit la motivation pour le chapitre final de la thèse qui traite de la co-intégration des différents IGD avec des dispositifs logiques ayant les gilles « high-k metal » nécessaires à 28 nm et au delà.