Soutenance de thèse de Jonathan LEHMANN

Mardi 20 Octobre 2015 à 10h30

Résumé de thèse :
Cette thèse s'inscrit dans le cadre du développement de transistors de puissance HEMT à base de nitrure de gallium au CEA. Grâce à leur mobilité élevée, leur champ de claquage important et leur bonne conductivité thermique les HEMT AlGaN/GaN apparaissent très prometteurs pour les applications d'électronique de puissance. Ce travail se donne pour objectif, à travers la caractérisation électrique, d'approfondir la connaissance du matériau AlGaN/GaN et cela si possible, en amont de la fabrication de transistors.

Tout d'abord, à travers des mesures de la résistance du gaz d'électrons à l'interface AlGaN/GaN, des phénomènes de piégeage ont été mis en évidence dans le matériau. Puis, dans la perspective d'un suivi de fabrication des substrats AlGaN/GaN sur Si dès leur sortie du bâti d'épitaxie, une méthode de mesure de la résistance du gaz d 'électrons s'inspirant de la mesure quatre pointes a été développée et brevetée. Enfin sur des transistors HEMT réalisés sur différentes épitaxies, une étude détaillée de la résistance de couche, de la mobilité et de la densité de porteurs sous et en dehors de la grille a été effectuée.

Mots clés:
HEMT, AlGaN/GaN, caractérisation électrique

Membres du jury :
Edwige BANO - Professeur IMEP-LAHC : Directrice de thèse
Gérard GHIBAUDO - Directeur de Recherche IMEP-LAHC : Co-encadrant de thèse
Charles LEROUX - Ingénieur, CEA-LETI : Co-encadrant de thèse
Dominique PLANSON - Professeur, INSA Lyon : Président
Jean-Guy TARTARIN - Professeur, LAAS-CNRS : Rapporteur
Nathalie LABAT - Professeur, IMS : Rapporteur