Soutenance de thèse de M. BEN AKKEZ Imed

Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d'une technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d'apporter des explications sur des phénomènes liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l'impact de ces aspects sur les paramètres électrique .