Soutenance de thèse de Mr Fanyu LIU

Cette thèse est consacrée à la caractérisation et la modélisation du transport électronique dans des matériaux et dispositifs SOI avancés pour la microélectronique.
Tous les matériaux  innovants étudiés (ex: SOI fortement dopé, plaques obtenues par colage etc.) et les dispositifs SOI sont des solutions possibles aux défis technologiques liés à la réduction de taille et à l'intégration. Dans ce contexte, l'extraction des paramètres électriques clés, comme la mobilité, la tension de seuil et les courants de fuite est importante .
Tout d'abord, la caractérisation classique pseudo-MOFSET a été étendue aux plaques SOI fortement dopées et un modèle adapté pour l"extraction paramètres a été proposé.
Nous avons également développé une méthode électrique pour estimer la qualité de l'interface de collage pour des plaquettes métalliques . Nous avons montré l'effet bipolaire parasite dans MOSFET SOI totalement désertés. Il est induit par l'effet tunnel bande-à-bande et peut être entierement supprimé par une polarisation arrière. Sur cette base, une nouvelles méthode a été développée pour extraire le gain bipolaire.
Enfin, nous avons étudié l'effet couplage dans le FinFET SOI double grille, en mode d'inversion. Un modèle analytique a été proposé et a été ensuite adapté aux FinFETs sans jonction (junctionless) .
Nous avons mis au point un modèle compact pour le profil des porteurs et des techniques d'extraction de paramètres.

Membres du jury :
• Sorin CRISTOLOVEANU : Directeur de thèse
• Irina IONICA : Co-encadrant de thèse
• Cristell MANEUX : Rapporteur
• Yong Tae KIM : Rapporteur
• Maud VINET : Examinateur
• Francisco GAMIZ : Examinateur