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Soutenance de thèse de Mr HUGUENIN Jean-Luc

Etude de dispositifs à film-mince pour les technologies sub-22nm basse consommation.
Jeudi  3 Novembre  2011  à 10h30

Résumé de Thèse:
Dans un contexte de course à la miniaturisation du transistor MOSFET, cette thèse porte sur l'étude, la fabrication et la caractérisation électrique de dispositifs à film mince que sont le SOI localisé (ou LSOI) et le double grille planaire à grille enrobante (ou GAA). Les résultats obtenus mettent ainsi en évidence l'intérêt de ces architectures qui permettent une réduction du courant de fuite (et donc de la consommation), un excellent contrôle des effets électrostatiques et fonctionnent sans dopage canal (faible variabilité) tout en proposant de très bonnes performances statiques. L'impact d'une orientation de substrat (110) sur les propriétés de transport dans les transistors LSOI est également étudié. Ce travail de thèse garde en ligne de mire la réalisation d'une plateforme basse consommation complète, impliquant une éventuelle intégration hybride avec des dispositifs BULK et la possibilité d'offrir plusieurs niveaux de tension de seuil, le tout sur une même puce.



Partenaires

Thèse préparée en collaboration entre la société STMicroelectronics et le laboratoire IMEP-LAHC, sous la direction conjointe de M Gérard Ghibaudo (IMEP-LAHC) et M Thomas Skotnicki (STMicroelectronics)
Infos date
Soutenance de M.Jean-Luc HUGUENIN pour une thèse de DOCTORAT de l'Université de Grenoble, spécialité  Nano Electronique Nano Technologie (NENT) intitulée: