Soutenance de thèse de Mr Laurent NEGRE
Caractérisation et modélisation de la fiabilité des transistors MOS en Radio Fréquence.
Mercredi 14 Décembre 2011 à 10h30
Résumé de Thèse:
Les produits issus des technologies Silicium tendent à exploiter au maximum les performances des transistors MOS tout en les soumettant à des profils de mission très agressifs du point de vue de la fiabilité. Les concepteurs sont ainsi à la recherche du meilleur compromis entre performance et fiabilité.
Historiquement, l'étude de la fiabilité du transistor MOS et le développement des modèles sous jacents ont été menés sur la base de contrainte de vieillissement statique. Avec le développement des produits à hautes performances dans le domaine de la radiofréquence (RF), la question de la fiabilité pour ce type d'application se
pose. Ainsi, une extension des modèles de fiabilité doit être réalisée afin de quantifier le vieillissement des paramètres clés RF soumis à des contraintes statiques mais également RF. C'est cette extension de la fiabilité des transistors MOS dans le domaine RF qui constitue le sujet de ce travail de thèse.
Résumé de Thèse:
Les produits issus des technologies Silicium tendent à exploiter au maximum les performances des transistors MOS tout en les soumettant à des profils de mission très agressifs du point de vue de la fiabilité. Les concepteurs sont ainsi à la recherche du meilleur compromis entre performance et fiabilité.
Historiquement, l'étude de la fiabilité du transistor MOS et le développement des modèles sous jacents ont été menés sur la base de contrainte de vieillissement statique. Avec le développement des produits à hautes performances dans le domaine de la radiofréquence (RF), la question de la fiabilité pour ce type d'application se
pose. Ainsi, une extension des modèles de fiabilité doit être réalisée afin de quantifier le vieillissement des paramètres clés RF soumis à des contraintes statiques mais également RF. C'est cette extension de la fiabilité des transistors MOS dans le domaine RF qui constitue le sujet de ce travail de thèse.
Partenaires
Thèse préparée en collaboration avec la société STMicroelectronics et le laboratoire IMEP-LAHC, sous la direction conjointe de M.Gérard Ghibaudo (IMEP-LAHC) et David ROY (STMicroelectronics)
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Infos date
Soutenance de M.Laurent NEGRE pour une thèse de DOCTORAT de l'Université de Grenoble, spécialité Nano Electronique Nano Technologies (NENT) intitulée :
Contact
Mr Gérard Ghibaudo
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