Soutenance de thèse de Mr SUBRAMANIAN Narasimhamoorthy

Mardi  29 Novembre 2011 à 10h30

 

 

Résumé de thèse :
La qualité du transport électronique est l'une des clés permettant de soutenir la progression des performances pour les futures générations de composants. L'épaisseur du canal, qui atteint des dimensions nanométriques joue également un rôle : interactions avec les interfaces, fluctuations d'épaisseurs, effets de couplage électrostatique ou quantique entre ces interfaces. A ces dimensions, on s'attend à observer des phénomènes de transport hors d'équilibre, voire balistique. Donc avec l'avancement de la technologie, il devient nécessaire de faire évoluer les modèles de transport et les paramètres afin de mieux expliquer le fonctionnement du MOSFET. Cette thèse se concentre sur la compréhension des modèles de transport existants et des méthodes d'extraction pour les noeuds technologiques actuels et futures. Les modèles de transport et les méthodes d'extraction de paramètres en régime
linéaire et de saturation ont été explorés au cours de cette thèse. Des mesures basse température ont été utilisé en régime linéaire.
Un modèle analytique pour la magnétorésistance est développé dans le cadre des noeuds technologiques sub 32 nm pour les modèles de transport balistique et quasi-balistique. La mesure la
magnétorésistance est explorée dans la région de saturation pour la première fois jusqu'à 50nm sur les MOSFET «bulk » afin de comprendre l'applicabilité de cette méthode d'extraction à ce régime.