Centre de radiofréquences, optique et micro-nanoélectronique des Alpes
Soutenance de thèse de Mr Sylvain BAUDOT
Elaboration et caractérisation des grilles métalliques pour les technologies CMOS 32/28nm à base de diélectrique haute permittivité
Vendredi 26 Octobre 2012 à 10h30
Résumé de Thèse:
Cette thèse porte sur l'élaboration et la caractérisation des grilles métalliques en TiN, aluminium et lanthane pour les technologies CMOS gate-first à base d'oxyde high-k HfSiON. L'effet de l'épaisseur et de la composition des dépôts métalliques a été caractérisé sur les paramètres de la technologie 32/28nm. Ces résultats ont été reliés à une variation de travail de sortie au vide du TiN, à des dipôles induits par l'Al et le La à l'interface HfSiON/SiON et à leur diminution aux petites épaisseurs de SiON (roll-off). Nous avons montré que l'aluminium déposé sous forme métallique dans le TiN cause une diminution de son travail de sortie, opposée au faible dipôle positif induit par l'Al. Nous avons évalué l'influence du roll-off pour ces différents métaux et mis en évidence pour la première fois sa forte dépendance avec l'épaisseur de lanthane déposée. Le développement de procédés de dépôt de TiN, Al, La a permis d'accroître les bénéfices de ces matériaux pour la technologie CMOS 32/28nm.
Partenaires
Thèse préparée dans le laboratoire IMEP-LAHC, sous la direction conjointe de M. Gérard GHIBAUDO, M. Charles LEROUX et M. Pierre CAUBET.