Soutenance de thèse Mr Thomas BENOIST

Vendredi 27  Avril   2012  à 10h30

Résumé de Thèse:
Afin que les circuits Silicium sur Isolant (SOI) puissent être viables et conquérir le marché, il est nécessaire de les protéger contre les décharges électrostatiques (ESD). Les stratégies de protection utilisées en technologie conventionnelle sur silicium massif ne s'appliquent pas directement au SOI tant partiellement déserté (PDSOI) que
complètement déserté (FDSOI) et doivent être revisitées. Le but de cette thèse est d'examiner les possibilités de protection sur SOI et de proposer des stratégies innovantes. La première partie met en avant l'état de l'art des mécanismes et normes ESD, des technologies SOI, des dispositifs classiques de protection et des méthodologies de développement. Le second chapitre examine les avantages et les contraintes imposées par la portabilité des stratégies du Si massif vers le PDSOI et le FDSOI au niveau du fonctionnement des transistors, des diodes et des capacités MOS. Enfin le dernier chapitre propose par l'analyse du thyristor une stratégie innovante en technologie FDSOI de dispositifs auto-déclenchés sans circuit de déclenchement.