Soutenance de thèse de M. Benoît SKLENARD

La réduction des dimensions des dispositifs CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) implique de nombreux défis dans la formation de jonctions, en particulier pour des architectures basées sur une intégration 3D séquentielle ou FDSOI (Fully-Depleted Silicon On Insulator). Dans cette thèse, les phénomènes physiques impliqués dans la formation de jonctions avec un procédé dit « froid » (c’est-à-dire dont la température n’excède pas 600°C) ont été étudiés. Ce type de procédé utilise la recroissance par épitaxie en phase solide (SPER) d’une région amorphe afin d’activer les dopants.
Un nouveau modèle, basé sur la méthode Monte-Carlo cinétique (KMC), a été développé dans le but de simuler la SPER à l’échelle atomique. Ce modèle a été utilisé pour comprendre l’anisotropie de la recroissance et fournir une explication de la formation de défauts, puis pour acquérir une compréhension de l’influence d’une contrainte non-hydrostatique et la présence de dopants actifs sur la cinétique de recristallisation.
   
Membres du jury : 
- Dr. Alain Claverie, DR CNRS, CEMES Toulouse (Président),
- Prof. Nick Cowern, Newcastle University, UK (rapporteur),
- Dr. Evelyne Lampin, CR CNRS et HDR, IEMN, Lille (rapporteur),
- Dr. Ignacio Martin-Bragado, IMDEA Materials, Madrid, Espagne (co-encadrant extérieur)
- Dr. Perrine Batude, Ing. CEA‒LETI, Grenoble (co-encadrant de la thèse)
- M. Clément Tavernier, STMictoelectronics, Grenoble (co-encadrant de la thèse, invité au Jury)
- Mme Pierette Rivallin, CEA‒LETI (invitée au Jury),
- Dr. Sorin Cristoloveanu, IMEP‒LAHC (Directeur de la thèse).