L’EZ-FET pour la caractérisation de substrats SOI

Résumé :
Le but de ce séminaire est de présenter les travaux de thèse portant sur le développement et l’optimisation de l’EZ-FET, un dispositif intermédiaire entre le pseudo-MOSFET et le transistor FDSOI, pour la caractérisation de substrats SOI fabriqués à basse température. Contrairement au pseudo-MOSFET qui donne accès aux paramètres électriques de l'interface film - BOX, l’EZ-FET permet une intégration simple du sandwich de grille et donc la caractérisation des paramètres électriques du futur canal en face avant des transistors. Les travaux de thèse ont débuté par l’optimisation des outils de caractérisation, y compris les bancs de mesures et les méthodologies d’extraction afin d’assurer une caractérisation fiable et relativement rapide. Par la suite, deux options ont été explorées pour adapter l’EZ-FET aux procédés à basse température: l’EZ-FET non dopé, et l’activation des dopants par laser. Enfin, en utilisant l’EZ-FET optimisé, une caractérisation détaillée et une comparaison ont été réalisés sur les substrats SOI transférés à basse température.