Simulation et caractérisation de P-MOSFET sur SOI avec et sans drain étendu

Résumé :
Le but de ce séminaire est de présenter les travaux de thèse portant d’un côté sur la compréhension du comportement des MOSFETs sur SOI de type P, utilisés pour une application imageur[1] dans la plateforme technologique 3DSL. Ces transistors sont impactés par une contribution parasite des bords due à l’isolation des zones actives par mesa. Et de l’autre côté, une première démonstration d’intégration d’un transistor MOS avec un drain étendu (EDMOS) sur un SOI avec un film modérément fin (23nm). L’épaisseur du film implique donc la possibilité de moduler certains paramètres avec la polarisation de la face arrière, mais aussi la présence des effets floating body. L’intérêt du P-EDMOS est de pouvoir supporter des fortes tensions sur le drain, et sa caractérisation électrique a révélé que nos transistors sont bien positionné par rapport à l’état de l’art. Un travail de simulation et de caractérisation nous ont permis de comprendre certains points liés au fonctionnement du transistor, l’effet du dopage sur ses performances, les mécanismes de fuite, et les pistes d’optimisation également.