Soutenance de thèse de CATAPANO Edoardo

L'objectif de cette thèse était double : (i) caractériser les dispositifs qubit basés sur MOS de la température ambiante jusqu'à la température cryogénique profonde pour soutenir la réalisation d'un flux de processus industriel qubit, et (ii) développer des outils de simulation et des modèles compacts capables de fournir des informations sur la technologie et la physique de l'appareil.
Deux aspects critiques possibles peuvent être identifiés dans les dispositifs qubit FD – SOI : le dopage ou diffusion de défauts qui dégrade le transport dans toute la gamme de température étudiée, et qui mettra en péril le bon fonctionnement du dispositif en régime de points quantiques ; des pièges sous les épais espaceurs en nitrure, qui limitent également le transport, clairement visibles lors des cures I_D (V_G) à température cryogénique, et qui sont probablement responsables d'un bruit de dispositif plus important.