Simulation de la commutation résistive dans les transistors à l'échelle atomique "atomristors"

Résumé :
Les dispositifs de commutation résistive à l'échelle nanométrique, appelés "atomristors", sont très prometteurs pour la future nanoélectronique, y compris les mémoires non volatiles, les commutateurs à haute fréquence et l'informatique neuromorphique. Le mécanisme de commutation des atomristors repose sur la migration des ions métalliques des contacts vers l'intérieur du matériau 2D, induite par un champ électrique externe. Le filament conducteur qui en résulte, relie les électrodes, ce qui permet de passer d'un état de résistance à un autre. La physique qui sous-tend l'évolution du filament et les performances du dispositif reste une question complexe qui nécessite des recherches plus approfondies. Dans notre étude,
nous étudions les propriétés électroniques et de transport dans un dispositif de commutation résistive, qui est basé sur des matériaux 2D monocouches et multicouches pris en sandwich entre deux électrodes métalliques.
Dans ce séminaire, je présenterai notre étude en cours et nos résultats récents concernant les effets qui peuvent altérer les propriétés de transport, y compris l'épaisseur et le type de conduction du matériau 2D, la structure cristalline et électronique au niveau de l'interface métal/matériau 2D, et les défauts. Notre étude est pour but de comprendre le mécanisme de commutation de la résistance entre deux états dans les atomristors