Pôle d’optoélectronique THz

Caractérisation impulsionnelle et temporelle de photodétecteurs à très faible temps de réponse (1 ps- > 1ns) => Application à la génération et la détection de signaux THz impulsionnels.
 

Matériel :

• laser fs @ 780 nm et 1550 nm.
• Oscilloscope rapide (1.5 GHz)
• B​​​​anc de caractérisation optoélectronique en temps équivalent (résolution de 1 ps).

Caractérisation « on-chip » de faibles volumes de matériau (< 1 mm3) dans la bande 50 – 500 GHz.

Matériel :

• Laser fs
• Composant THz intégré (dispositif sur GaAs ou composant TeraLineX Protemics GmbH) et banc de mesure dédié.

Il est possible d’obtenir des informations sur les propriétés non linéaires d’un matériau en analysant le signal THz qu’il émet lorsqu’il est pompé par une impulsion fs optique. Pour ce type de caractérisation, la plateforme dispose de :
 

• un laser Synergy de MKS (800 nm, 12 fs, 75 MHz, 1W)
• une chaine laser amplifiée Libra de Coherent (800 nm, 50 fs, 1 kHz, 5 W)
• un OPA TOPAS Prime de Light Conversion (longueur d’onde de sortie entre 2.6µm et 285 nm, soit de 0.48 eV à 4.35 eV)
• une détection ABCD DH-ZAP-APD de Daheng New Epoch Technology
• divers cristaux non linéaires (ZnTe, GaP, GaSe,…)
• antennes photoconductrices