Nos recherches s'inscrivent dans un contexte de montée en fréquences et en débits, de recherche de dispositifs à basse consommation et de densification des fonctionnalités.
Elles font face à la problématique de la reconfigurabilité des fonctions électroniques RF.
1- Méthodes de mesure hautes fréquences :
- Techniques de caractérisation très large bande (du DC à 110 GHz) en 2 et 4 ports
- Techniques d'étalonnages et d'épluchage pour la caractérisation de dispositifs intégrés
- Techniques in-situ de caractérisation de couches minces (nm) ou de matériaux massifs (mm)
2- Caractérisation RF et mmW de matériaux pour les circuits intégrés, les capteurs, et l'électronique imprimée
- Caractérisation RF et m mW de matériaux diélectriques, magnétiques, piézo-électriques, semi-conducteurs ou conducteurs
- Caractérisation de substrats et d'encres pour l'électronique imprimée
3- Conception et caractérisation RF et mmW de dispositifs passifs intégrés innovants, guides AF-SIW et interconnexions
Capacités 3D haute densité (TSC, nanofilss)
Packaging 3D
Interconnections à haut débit
Dispositifs intégrés en technologie AF-SIW pour le spatial