Further information
References : Monday, november 8th at 10:00 - P014 - Phelma Polygone
Sources : Substrats et dispositifs avancés sur Germanium-sur-Isolant (GeOI): Caractérisation, Modélisation et Simulation
Author(s) : Thesis prepared in the Laboratory IMEP-LAHC supervised by Mr Sorin CRISTOLOVEANU
ABSTRACT :
La miniaturisation des transistors MOS à effet de champ (MOSFET) sur substrat silicium massif arrive à ses limites physiques. Afin de tenir les spécifications de l'International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), plusieurs solutions se profilent, dont l'utilisation de matériaux semiconducteurs alternatifs à forte mobilité tels que le germanium (Ge). L'utilisation du GeOI (Germanium-sur-Isolant) permet de cumuler les avantages de contrôles électrostatiques de la technologie SOI avec les propriétés de transport du Ge. Cette étude propose une revue des propriétés des substrats et de dispositifs pMOSFETs sur GeOI. La première partie présente les performances électriques des substrats GeOI par la méthode pseudo-MOSFET au travers de caractérisations et de simulations TCAD. Les deux parties suivantes portent sur l'étude des pMOSFETs à grille TiN/HfO2. Nous appréhendons les phénomènes de fuites observées au drain des pMOSFETs par des mesures et de modélisations dépendantes de la température. Nous nous intéresserons finalement à la forte mobilité des trous dans les dispositifs pMOSFETs sur GeOI afin de comprendre les origines physiques des phénomènes limitant le transport.