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Développement de matériaux SiC pour les interfaces neuronales biocompatibles à longue durée de vie
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Simulation de la commutation résistive dans les transistors à l'échelle atomique "atomristors"
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Caractérisation électrique avancée DC et RF de composants passifs et actifs en technologie 28nm-FDSOI à température cryogénique
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Quentin BERLINGARD
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Semi-empirical and ab-initio simulation of quantum transport in nanoscale devices
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